日期：2025-11-29 08:43
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摘要：5. 輸出整流電路電磁兼容設(shè)計 如圖所示為輸出半波整流電路，V6為整流二極管，V7為續(xù)流二極管，由于V6、 V7工作于高頻開關(guān)狀態(tài)，因此輸出整流電路的電磁干擾源主要是V6和V7，R5、C12和R6、C13分別連接成V6、V7的吸收電路，用于吸收其開關(guān)動 作時產(chǎn)生的電壓尖峰，并以熱的形式在R5、R6上消耗。 減少整流二極管的數(shù)量就可減小電磁干擾的能量，因此同等條件下，采用半波整流電路比采用全波整流和全橋整流產(chǎn)生的電磁干擾要小。 為減小二極管的電磁干擾，必須選用具有軟恢復(fù)特性的、反向恢復(fù)電流小、反向恢復(fù)時間短的二極管器件。從理論上講，肖...
如圖所示為輸出半波整流電路，V6為整流二極管，V7為續(xù)流二極管，由于V6、 V7工作于高頻開關(guān)狀態(tài)，因此輸出整流電路的電磁干擾源主要是V6和V7，R5、C12和R6、C13分別連接成V6、V7的吸收電路，用于吸收其開關(guān)動 作時產(chǎn)生的電壓尖峰，并以熱的形式在R5、R6上消耗。 減少整流二極管的數(shù)量就可減小電磁干擾的能量，因此同等條件下，采用半波整流電路比采用全波整流和全橋整流產(chǎn)生的電磁干擾要小。 為減小二極管的電磁干擾，必須選用具有軟恢復(fù)特性的、反向恢復(fù)電流小、反向恢復(fù)時間短的二極管器件。從理論上講，肖特基勢壘二極管（SBD）是多數(shù)載流 子導(dǎo)流，不存在少子的存儲與復(fù)合效應(yīng)，因而也就不會有反向電壓尖峰干擾，但實際上對于較高反向工作電壓的肖特基二極管，隨著電子勢壘厚度的增加，反向恢復(fù) 電流會增大，也會產(chǎn)生電磁噪聲。因此在輸出電壓較低的情況下選用肖特基二極管作直流二極管產(chǎn)生的電磁干擾會比選用其它二極管器件要小。
輸出整流電路電磁兼容設(shè)計
輸出直流濾波電路主要用于切斷電磁傳導(dǎo)干擾沿導(dǎo)線向輸出負載端傳播，減小電磁干擾在導(dǎo)線周圍的電磁輻射。 如圖所示，L2、C17、C18組成的LC濾波電路，能減小輸出電流、電壓紋波的大小，從而減小通過輻射傳播的電磁干擾，濾波電容C17、C18盡量采 用多個電容并聯(lián)，減小等效串聯(lián)電阻，從而減小紋波電壓，輸出電感L2值盡量大，減小輸出紋波電流的大小，另外電感L2*好使用不開氣隙的閉環(huán)磁芯，*好不 是飽和電感。在設(shè)計時，我們要記住，導(dǎo)線上有電流、電壓的變化，在導(dǎo)線周圍就有變化的電磁場，電磁場就會沿空間傳播形成電磁輻射。 C19用于濾除導(dǎo)線上的共模干擾，盡量選用低感電容，且接線要短，C20、C21、C22、C23用于濾除輸出線上的差模干擾，宜選用低感的三端電容，且接地線要短，接地可靠。 Z3為直流EMI濾波器，根據(jù)情況使用或不使用，是采用單級還是多級濾波器，但要求Z3直接安裝在金屬機箱上，*好濾波器輸入、輸出線能屏蔽隔離。
輸出整流電路電磁兼容設(shè)計
7. 接觸器、繼電器等其它開關(guān)器件電磁兼容設(shè)計 繼電器、接觸器、風(fēng)機等在掉電后，其線圈將產(chǎn)生較大的電壓尖峰，從而產(chǎn)生電磁干擾，為此在直流線圈兩端反并聯(lián)一個二極管或RC吸收電路，在交流線圈兩端 并聯(lián)一個壓敏電阻用于吸收線圈掉電后產(chǎn)生的電壓尖峰。同時要注意如果接觸器線圈電源與輔助電源的輸入電源為同一個電源，之間*好通過一個EMI濾波器。繼 電器觸頭動作時也將產(chǎn)生電磁干擾，因此要在觸頭兩端增加RC吸收回路。8. 開關(guān)電源箱體結(jié)構(gòu)的電磁兼容設(shè)計 材料選擇：沒有“磁絕緣”材料，電磁屏蔽是利用“磁短路”的原理，來切斷電 磁干擾在設(shè)備內(nèi)部與外界空氣中的傳播路徑。在進行開關(guān)電源的箱體結(jié)構(gòu)設(shè)計時，要充分考慮對電磁干擾的屏蔽效能，對于屏蔽材料的選擇原則是，當干擾電磁場的 頻率較高時，選用高電導(dǎo)率的金屬材料，屏蔽效果較好；當干擾電磁波的頻率較低時，要采用高導(dǎo)磁率的金屬材料，屏蔽效果較好；在某些場合下，如果要求對高頻 和低頻電磁場都具有良好的屏蔽效果時，往往采用高電導(dǎo)率和高導(dǎo)磁率的金屬材料組成多層屏蔽體。 孔洞、縫隙、搭接處理方法：采用電磁屏蔽方法無需重新設(shè)計電路，便可達到很好的電磁兼容效果。理想的電磁屏蔽體是一個無縫隙、無孔洞、無透入的導(dǎo)電連續(xù)體，低阻抗的金屬密封體，但是 一個完全密封的屏蔽體是沒有實用價值的，因為在開關(guān)電源設(shè)備中，有輸入、輸出線過孔、散熱通風(fēng)孔等孔洞，以及箱體結(jié)構(gòu)部件之間的搭接縫隙，如果不采取措施 將會產(chǎn)生電磁泄漏，使箱體的屏蔽效能降低、甚至完全喪失。因此在開關(guān)電源箱體設(shè)計時，金屬板之間的搭接*好采用焊接，無法焊接時要使用電磁密封墊或其它的 屏蔽材料，箱體上的開孔要小于要屏蔽的電磁波的波長的1/2，否則屏蔽效果將大大降低；對于通風(fēng)孔，在屏蔽要求不高時可以使用穿孔金屬板或金屬化絲網(wǎng)，在 要求既要屏蔽效能高，又要通風(fēng)效果好時選用截至波導(dǎo)管等方法，提高屏蔽體的屏蔽效能。如果箱體的屏蔽效能仍無法滿足要求時，可以在箱體上噴涂屏蔽漆。除了 對開關(guān)電源整個箱體的屏蔽之外，還可以對電源設(shè)備內(nèi)部的元件、部件等干擾源或敏感設(shè)備進行局部屏蔽。
在進行箱體結(jié)構(gòu)設(shè)計 時，針對設(shè)備上所有會受到靜電放電試驗的部分，設(shè)計出一條低阻抗的電流泄放路徑，箱體必須有可靠的接地措施，并且要保證接地線的載流能力，同時將敏感電路 或元件遠離這些泄放回路，或?qū)ζ洳捎秒妶銎帘未胧τ诮Y(jié)構(gòu)件的表面處理，一般主要電鍍銀、鋅、鎳、鉻、錫，這需要從導(dǎo)電性能、電化學(xué)反應(yīng)、成本及電磁兼 容性等多方面考慮后做出選擇。
9. 元器件布局與布線中的電磁兼容設(shè)計： 對于開關(guān)電源設(shè)備內(nèi)部元器件的布局必須整體考慮電磁兼容性的要求，設(shè)備內(nèi)部的干擾源會通過輻射和串擾等途徑影響其它元件或部件的工作，研究表明，在離干擾源一定距離時，干擾源的能量將大大衰減，因此合理的布局有利于減小電磁干擾的影響。 EMI輸入輸出濾波器*好安裝在金屬機箱的入口處，并保證其輸入線與輸出線電磁環(huán)境的屏蔽隔離。 對于開關(guān)電源產(chǎn)品，我們一般須遵守以下布線原則： 9.5 分開布線的原則是避免平行走線，可以垂直交叉，線束之間距離在20mm以上。 9.6 電纜不要貼著金屬外殼和散熱器走線，保證一定距離。 9.7 雙絞線、同軸電纜及帶狀電纜在EMC設(shè)計中的使用
雙絞線的使用
雙絞線、同軸電纜都能有效的抑制電磁干擾。在脈沖信號傳輸線路中常使用雙絞線，控制輔助電源線和傳感器信號線*好用雙絞屏蔽線。因為雙絞線兩根線之間有很 小的回路面積，而且雙絞線的每兩個相鄰的回路上感應(yīng)出的電流具有大小相等、方向相反，產(chǎn)生的磁場相互抵消，這樣就可以減小因輻射引起的差模干擾，不過雙絞 線絞合的圈數(shù)*好為偶數(shù)，且每單位波長所絞合的圈數(shù)愈多，消除耦合的效果愈好。使用時注意雙絞線和同軸電纜兩端不能同時接地，只能單端接地，而對屏蔽線， 屏蔽層兩端接地能既能屏蔽電場還能屏蔽磁場，單端接地只能屏蔽電場。使用同軸電纜時還要注意，其屏蔽層必須完全包覆信號線接地，即接頭與電纜屏蔽層必須 3600搭接，才能有效屏蔽電磁場，如圖所示，信號線裸露部分仍可以與外界形成互容耦合，降低屏蔽效能。帶狀電纜適合于短距離的信號傳輸，我們知道為了降低差模信號的電磁輻射，必須減小信號線和信號回流線所形成的回路面積，因此在設(shè)計帶狀電纜布局時，*好將信號線與接地線間隔排列。如圖所示，其中S為信號線，G為信號地線。
信號線與接地線間隔排列
熱傳播的方式有傳導(dǎo)、對流和輻射，熱輻射是以電磁波的形式向空中傳播的，熱傳導(dǎo)也會向周圍其它元件傳導(dǎo)熱量，這些都會影響其它元器件或電路的正常工作， 因此從元器件熱設(shè)計方面考慮要盡量留有較大余量，以降低元器件的溫升及器件表面的溫度，除元器件對溫升有特殊要求外，一般開關(guān)電源要求內(nèi)部元件溫度小于 90℃，內(nèi)部環(huán)境溫度不超過65℃，以減小熱輻射干擾。 對數(shù)字集成電路，從電磁兼容性角度看應(yīng)多選用高噪聲容限的CMOS器件代替低噪聲容限的TTL器件。 選用分布電感較小的SMP元件，選用高頻特性好、等效串聯(lián)電感低的陶瓷介質(zhì)電容器、高頻無感電容器、三端電容器和穿心電容器等作濾波電容。 信號地是指信號電流流回信號源的一條低阻抗路徑。在設(shè)計中往往由于接地方法不恰當而產(chǎn)生地環(huán)路干擾和公共阻抗耦合干擾。因此要合理選用接地方式，接地的方式有單點接地、多點接地和混合接地。 地環(huán)路干擾：常發(fā)生在通過較長電纜連接，地相距較遠的設(shè)備之間。原因是由于地環(huán)路電流的存在，使兩個設(shè)備的地電位不同。通常用光電耦合器或隔離變壓器進 行“地”隔離，消除地環(huán)路干擾。由于隔離變壓器繞組之間寄生電容較大，即使采取屏蔽措施的隔離變壓器通常也只用于1MHZ以下的信號隔離，超過1MHZ時 多采用光電耦合器隔離。 公共阻抗耦合：當兩個電路的地電流流過一個公共阻抗時，就會發(fā)生公共阻抗耦合。由于地線是信號回流線，一個電路的工作狀態(tài)必然會影響地線電壓，當兩個電路共用一段地線時，地線的電壓就會同時受到兩個電路工作狀態(tài)的影響。 可見無論是地環(huán)路干擾還是公共阻抗耦合問題都是由于地線阻抗引起的，因此在設(shè)計時一定要考慮盡量降低地線阻抗與感抗。 如何減小控制電源噪聲：電源線上有電流突變，就會產(chǎn)生噪聲電壓。在靠近芯片的位置增加解耦電容，能有效減小噪聲。如果是高頻電流負載，則采用多個同容量 的高頻電容和無感電容并聯(lián)能獲得更好的效果。注意電容容量并非越大越好，主要根據(jù)其諧振頻率、提供脈沖電流頻率來選擇。 印制板合理的布置地線將能有效的減小印制板的輻射以及提高其抗輻射干擾能力，請注意 l 布置地線網(wǎng)絡(luò)：在雙面板的兩面布置*多的平行地線。 l 對于一些關(guān)鍵信號（如脈沖信號和對外界較敏感的電平信號）的地線的布置必須盡量縮小引線長度，減小信號的回流面積。如果是雙面板，地線和信號線可以在印制板兩面并聯(lián)平行走線。 l 若是多層線路板，且既有數(shù)字地又有模擬地，則數(shù)字地和模擬地必須布置在同一層，減小它們之間的耦合干擾。 l 在實際電路中常發(fā)生公共阻抗耦合，因此要根據(jù)實際情況選擇正確的接地方式。 12.1.IGBT，MOSFET等開關(guān)元件的驅(qū)動脈沖信號增加一個-5V～-10V的負電平，提高驅(qū)動信號的抗干擾能力。或驅(qū)動信號采用光纖傳輸技術(shù)，光纖適宜于遠距離傳輸，具有抗干擾能力強的特點。 12.2.通過軟件的編程技術(shù)，提高開關(guān)電源的抗干擾能力，為了防止電平信號中的毛刺，引起軟件的誤判斷及誤動作，可以通過多次采樣等數(shù)字濾波方法來濾除干擾信號。 本文詳細分析了隔離式DC/DC變換器存在的電磁干擾源及其產(chǎn)生機理，并詳細介紹了針對其主電路和控制電路的電磁兼容設(shè)計方法，這些方法對其它電子產(chǎn)品的電磁兼容設(shè)計具有一定的指導(dǎo)作用。
